Navigacija

DS2MHM - Modelovanje heterostrukturnih mikroelektronskih naprava

Specifikacija predmeta
Naziv Modelovanje heterostrukturnih mikroelektronskih naprava
Akronim DS2MHM
Studijski program Elektrotehnika i računarstvo
Modul modul Nanoelektronika i fotonika
Tip studija doktorske akademske studije
Nastavnik (predavač)
    Nastavnik/saradnik (vežbe)
      Nastavnik/saradnik (DON)
        Broj ESPB 9.0 Status predmeta izborni
        Uslovljnost drugim predmetima nema
        Ciljevi izučavanja predmeta Uči studente kako se realne poluprovodničke naprave predstavljaju matematičko-fizičkim modelima. Kroz analizu i simulaciju modela upoznaju se kako relevantni parametri utiču na funkcionisanje naprave i kako se dolazi do optimalnih konstrukcija (rešenja) postojećih, kao i potencijalno novih heterostrukturnih naprava.
        Ishodi učenja (stečena znanja) Uči studente kako se realne poluprovodničke naprave predstavljaju matematičko-fizičkim modelima. Kroz analizu i simulaciju modela upoznaju se kako relevantni parametri utiču na funkcionisanje naprave i kako se dolazi do optimalnih konstrukcija (rešenja) postojećih, kao i potencijalno novih heterostrukturnih naprava.
        Sadržaj predmeta
        Sadržaj teorijske nastave Pojam modela. Vrste modela. Uloga, značaj i istorijat modelovanja mikroelektronskih naprava. Elektronski transportni procesi u heterostrukturama. Modeli heterostrukturnih unipolarnih tranzistora. HEMT-ovi na bazi AlGaAs/GaAs i HEMT-ovi a bazi AlGaN/GaN. Heterostrukturni SiGe tranzistori. Modelovanje heterostrukturnih bipolarnih tranzistora (HBT). HBT na bazi AlGaAs/GaAs i na bazi InGaAs/GaAs. Modeli HBT-a sa termalnim efektima. Modeli tranzistora sa vrućim elektronima. Modeli poluprovodničkih optoelektronskih prijemnika i predajnika.
        Sadržaj praktične nastave nema
        Literatura
        1. R.Ramović, "Analiza i modelovanje poluprovodičkih naprava", (skripta), autorsko izdanje, Beograd 1993 god.
        2. S.Selberherr, "Analysis and simulation of semiconductor Devices", Springer.Verlag, Wien 1985 god.
        3. R.Ramović, R.Šašić, "Analiza i modelovanje unipolarnih tranzistora malih dimenzija", Dineh, Beograd 1999 god.
        4. D.Tsaukalos, C.Tsamis (eds), "Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD)", Springer, Wien 2001 god.
        Broj časova aktivne nastave nedeljno tokom semestra/trimestra/godine
        Predavanja Vežbe DON Studijski i istraživački rad Ostali časovi
        6
        Metode izvođenja nastave predavanja i auditorne vežebe
        Ocena znanja (maksimalni broj poena 100)
        Predispitne obaveze Poena Završni ispit Poena
        Aktivnosti u toku predavanja 0 Pismeni ispit 70
        Praktična nastava 0 Usmeni ispit 0
        Projekti 0
        Kolokvijumi 30
        Seminari 0